1、gate charge

gate charge發(fā)音

英：　　美：

gate charge中文意思翻譯

常用釋義：柵極電荷：指場效應(yīng)管或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管中

閘極電荷；選通電極充電

gate charge雙語使用場景

1、Impact ionization arises from a charge injector (25), defining a virtual diode (30) in the substrate (20) of a floating gate charge storage transistor (11).───碰撞電離通過一在一浮柵電荷存儲(chǔ)晶體管(11)的襯底(20)中限定一虛擬二極管(30)的電荷注入器(25)而產(chǎn)生。

2、Features: Low gate charge, low crss , fast switch.───特點(diǎn)：低柵電荷，低反饋電容，開關(guān)速度快。

3、Study on a Novel Gate Charge Retention Voltage-Driven Synchronous Rectifier───新型柵極電荷保持驅(qū)動(dòng)同步整流器的研究

4、the minimum charge sub-sea sharks to switch from each of the minimum gate charge fraction, the default is 10 minutes.───鯊魚海洋最小押分切換每一門的最小起押分?jǐn)?shù)，默認(rèn)為10分。

5、In order to describe the characteristics of VDMOS device more intuitively, this paper mainly focuses on the gate charge test.───為了更直觀地描述低壓大電流VDMOS器件特性，對(duì)器件柵電荷特性進(jìn)行了測量和提取。

6、This article takes gate charge characteristics into account and then introduces some methods for calculating output performance of drivers used for switching IGBTs.───本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計(jì)算用于開關(guān)igbt的驅(qū)動(dòng)器輸出性能的方法。

gate charge相似詞語短語

1、charge ahead───提前收費(fèi)；提前充電

2、gate chalk───門粉筆

3、sulphates charge───硫酸鹽電荷

4、la gate───拉門

5、charge───vt.使充電；使承擔(dān)；指責(zé)；裝載；對(duì)…索費(fèi)；向…沖去；n.(Charge)人名；(法)沙爾熱；(英)查奇；n.費(fèi)用；電荷；掌管；控告；命令；負(fù)載；vi.充電；控告；索價(jià)；向前沖；記在賬上

6、service charge───n.服務(wù)費(fèi)

7、gate───vt.給…裝大門；n.(Gate)人名；(英)蓋特；(法、瑞典)加特；n.大門；出入口；門道

8、arrival gate───到達(dá)口；下機(jī)門

9、charge number───負(fù)載量

2、2D NAND和3D NAND間有哪些區(qū)別和聯(lián)系

3D NAND是相對(duì)于原先的NAND在工藝上的提升，可以理解為把原先平面的存儲(chǔ)單元構(gòu)建為立體的，這樣一片晶元上存儲(chǔ)的cell會(huì)更多。

傳統(tǒng)的2D NAND工藝到16nm就已經(jīng)飽和了，而3D通過增加縱軸的疊層數(shù)目可以繼續(xù)演進(jìn)三代左右（現(xiàn)有的技術(shù)一般是32層或48層，個(gè)人預(yù)測未來終結(jié)產(chǎn)品會(huì)發(fā)展到128層）。同一片晶元上存儲(chǔ)單元越多即意味著每個(gè)bit的成本更低。

而3D X point則和3D NAND完全不同，NAND是基于floating gate/charge-trap gate MOS技術(shù)，而x point則是基于phase change material。通俗的說，NAND是通過晶體管上充放電來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而x point是通過材料是熔化或凝固狀態(tài)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。從性能上而言，x point會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過NAND，這可是Micron和Intel合伙憋了很多年的大殺器，如果能很快的解決現(xiàn)在yield lost問題，會(huì)改變以后存儲(chǔ)世界的格局。